FCP9N60N-F102
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FCP9N60N-F102 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPREMO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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201+ | $1.50 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83.3W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
FCP9N60N-F102 Einzelheiten PDF [English] | FCP9N60N-F102 PDF - EN.pdf |
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2024/06/4
2023/12/20
2024/12/17
2024/03/19
FCP9N60N-F102onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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